Hamamatsu Photonics G12181-110K — индий-галлий-арсенидный (InGaAs) фотодиод с увеличенной активной площадью, предназначенный для точной и стабильной регистрации излучения в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель обеспечивает высокую чувствительность, низкий темновой ток и быстрый отклик, что делает её эффективной для спектроскопии, лазерных измерений, телекоммуникационных систем и аналитических приборов. Конструкция ориентирована на надёжную интеграцию в оптоэлектронные модули.

Основные технические характеристики:

Тип: InGaAs фотодиод

Спектральный диапазон: примерно 900–1700 нм

Активная площадь: около 1,0 мм²

Низкий уровень шума

Быстрое время отклика

Высокая линейность выходного сигнала