Hamamatsu Photonics G13176-010P — индий-галлий-арсенидный (InGaAs) фотодиод с малой активной площадью, предназначенный для высокоскоростной и точной регистрации излучения в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель характеризуется низким темновым током, быстрым временем отклика и стабильной линейной характеристикой, что делает её эффективной для спектроскопии, телекоммуникационных систем, лазерных измерений и аналитического оборудования. Исполнение P упрощает интеграцию в оптоэлектронные модули.

Основные технические характеристики:

Тип: InGaAs фотодиод

Спектральный диапазон: примерно 900–1700 нм

Активная площадь: около 0,1 мм²

Низкий уровень шума

Быстрое время отклика

Высокая линейность выходного сигнала