Hamamatsu Photonics G8195-11 — индий-галлий-арсенидный (InGaAs) фотодиод, предназначенный для высокочувствительной регистрации излучения в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель обеспечивает низкий темновой ток, высокую скорость отклика и стабильную линейную характеристику, что делает её подходящей для телекоммуникационных систем, лазерной диагностики, спектроскопии и аналитических измерений. Компактное исполнение облегчает интеграцию в оптоэлектронные модули.

Основные технические характеристики:

Тип: InGaAs фотодиод

Спектральный диапазон: примерно 900–1700 нм

Активная площадь: около 1 мм²

Низкий уровень шума

Быстрый отклик

Высокая линейность выходного сигнала