Hamamatsu Photonics G8195-12 — индий-галлий-арсенидный (InGaAs) фотодиод, предназначенный для точной регистрации излучения в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель отличается высокой чувствительностью, низким темновым током и быстрым временем отклика, что делает её эффективной для телекоммуникационных систем, спектроскопии, лазерных измерений и аналитического оборудования. Конструкция обеспечивает стабильную линейную характеристику и удобство интеграции в оптоэлектронные модули.

Основные технические характеристики:

Тип: InGaAs фотодиод

Спектральный диапазон: примерно 900–1700 нм

Активная площадь: около 1 мм²

Низкий уровень шума

Быстрый отклик

Высокая линейность выходного сигнала