Hamamatsu Photonics G13176-003P — индий-галлий-арсенидный (InGaAs) фотодиод с малой активной площадью, предназначенный для высокоскоростной регистрации излучения в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель обеспечивает низкий темновой ток, быстрый отклик и стабильную линейную характеристику, что делает её эффективной для спектроскопии, телекоммуникационных систем, лазерных измерений и аналитического оборудования. Исполнение P ориентировано на удобную интеграцию в оптоэлектронные модули.

Основные технические характеристики:

Тип: InGaAs фотодиод

Спектральный диапазон: примерно 900–1700 нм

Активная площадь: около 0,03 мм²

Низкий уровень шума

Быстрое время отклика

Высокая линейность выходного сигнала